曾建平，博士，副研究员，硕士生导师，从事化合物半导体高频器件和电路集成技术研究，专注砷化镓和氮化镓半导体肖特基势垒二极管（THz-SBD）及其单片集成变频技术领域。主持部委高技术项目3项、国家自然科学基金面上基金项目1项、中物院预研课题1项, 所长基金1项，带领团队获中国工程物理研究院年度科技创新top10、电子工程研究所科学技术奖特别奖等荣誉。博士毕业于中国科学院大学材料物理与化学专业，研究领域涉及光电子器件和集成技术研究；毕业后，在中国工程物理研究院电子工程研究所工作至今，从事化合物半导体微波器件和模型、高频器件和模型、工艺制造技术、电路集成技术研究。

化合物半导体高频器件与电路集成技术，GaN功率器件与芯片，复杂电磁新型器件与芯片。

基金项目： （1） 国家自然科学基金面上项目，62071439，主持，结题 （2） 国家自然科学基金NSAF重点基金，U253020045，参与，在研 （3） 中国工程物理研究院院长基金，YZJJZQ2023014，主持，在研 文章： （1） Zhang, Xiaojian; Chen, Qiyu; He, Yue; Deng, Zejia; Tian, Yaoling; Kang, Lingfeng; Li, Ruoxue; Liu, Ge; Lu, Xiaochi; Yang, Hao; Zhou, Ren; Zeng, Jianping; Jiang, Jun; A 300-330 GHz Frequency Tripler With >100 mW Output and >17% Efficiency Based on Face-to-Face Topology and Enhanced Diode Configuration, IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology, 2026, 16(1): 42-53 (共同通讯作者 ) （2） Lin, Gengxin; Chen, Jianzhong; Deng, Zejia; Kang, Lingfeng; Chen, Qiyu; An, Ning; Li, Junze; Zeng, Jianping; High Cutoff Frequency FOM AlGaN/GaN Heterostructure MSM-2DEG Varactors, IEEE Electron Device Letters, 2026, 47(2): 269-272 (共同通讯作者 ) （3） Weiguang Wang; Qian Li; Ning An; Jianping Zeng; A Novel GaN-Based Metal-2DEG-Metal Varactor With Cutoff Frequency of 3.13 THz, IEEE Transactions on Electron Devices, 2022, 69(5): 2270-2274 (唯一通讯作者 ) （4） Ning An; Li Li; Weiguang Wang; Xiaoyu Xu; Jianping Zeng; High-Efficiency D-Band Monolithically Integrated GaN SBD-Based Frequency Doubler With High Power Handling Capability, IEEE Transactions on Electron Devices, 69(9): 4843-4847 (唯一通讯作者 ) （5） Gengxin Lin; Qiyu Chen; Jianzhong Chen; Zejia Deng; Lingfeng Kang; Jianping Zeng; Maximizing Frequency Characteristics for THz SBD, physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters, 2026, 20(2) (唯一通讯作者 )

本课题组长期招收研究生，欢迎感兴趣的同学通过电子邮件交流。